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ZnO压敏电阻器的结构：
晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。
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ＺｎＯ 压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是 ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富 Ｂｉ 相（图 ３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ 压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而 ＴｉＯ２ 和 ＢａＯ 则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的 ＺｎＯ 晶粒是 ＺｎＯ 压敏电阻的基本构成单纯 ＺｎＯ 是具有线性 Ｉ－Ｕ 特性的非化学计量 ｎ 型半导 体。进入 ＺｎＯ 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌
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